Результаты поиска: профессии

Сегодня

В настоящее время в СФТИ успешно развиваются фундаментальные и прикладные исследования в области создания биосовместимых материалов с памятью формы, нанотехнологии, металлофизики, физики прочности и пластичности, СВЧ-электроники, оптоэлектроники, радиофизики и радиоэлектроники, физики и электроники сложных полупроводников, фотоники. СФТИ располагает высококвалифицированным профессорско-преподавательским составом. На базе института развивается наукоемкое производство, тем самым создаются условия для внедрения в производство научно-исследовательских и опытно-конструкторских разработок ученых СФТИ. Все это обеспечивает рост экономической устойчивости института, способствует развитию научно-технической базы и увеличению фундаментальных и прикладных исследований по приоритетным направлениям науки и техники.
Одним из наиболее успешно развивающихся в СФТИ научных направлений является изучение коллективом НИИ медицинских материалов и имплантатов с памятью формы во главе с В.Э. Гюнтером физических основ создания сверхэластичных биосовместимых сплавов с памятью формы. Коллективом создано принципиально новое поколение имплантируемых в организм материалов и имплантатов, широко используемых в стоматологии, травматологии, хирургии, офтальмологии, онкологии и других областей медицины. Основой имплантатов является разработанные никелид-титановые наноструктурные нити, способные к сверхэластичному деформированию. Разработаны уникальные технологии хирургического лечения с использованием новых материалов и имплантатов. Организовано серийное производство материалов, полуфабрикатов и имплантатов для различных областей медицины, выпускаемая продукция сертифицирована Министерством здравоохранения РФ.
На сегодняшний день СФТИ остается одним из ведущих научных центров физического профиля в стране, играя “огромную роль не только в освоении и развитии этого огромного региона, но и в образовании, культуре, подготовке кадров, развитии науки”. В настоящее время на базе этого научного учреждения развивается наукоемкое производство, создаются условия для внедрения в производство научно-исследовательских и опытно-конструкторских разработок.

Авторы статьи: А.И. Потекаев, А.Н. Сорокин

От института на общественных началах к первому научному учреждению в области точных и технических наук на пространстве от Урала до Тихого океана (1920-е – 1945 гг.)

Образованию Сибирского физико-технического института (СФТИ) предшествовал основанный в 1922 г. на общественных началах Институт прикладной физики (ИПФ) при Томском технологическом институте (ТТИ), который не располагал ни самостоятельным бюджетом, ни штатами

Однако его сотрудникам удалось осуществить комплексное изучение проблем металлографии, металлургии, сопротивления материалов и физических явлений, имевших важное значение Сибири. Отправной точкой на пути к открытию СФТИ стал 1924 г., а именно IV съезд русских физиков в Ленинграде

В.Д. Кузнецов был лидером делегированной на съезд группы физиков из Томска. Всего томским ученым принадлежало около 10% от общего числа выступлений. На съезде Томск был назван одним из центров советской физики.
Организованный Постановлением СНК в г. как самостоятельный институт, СФТИ стал первым научным учреждением в области точных и технических наук на огромном пространстве от Урала до Тихого океана, первым НИИ в высшей школе России. В создании СФТИ в эти нелегкие для страны годы принимали участие выдающиеся ученые, прежде всего, России А.Ф. Иоффе, П.П. Лазарев, Н.Н. Семенов и др.
СФТИ стал кузницей кадров для науки и промышленности, положил начало формированию и развитию в азиатской части страны первых научных школ и направлений в области физики и техники. Значительная часть исследований проводилась под влиянием требований промышленности, что превратило СФТИ в центр консолидации ученых-физиков и производственников в решении проблем индустриализации Сибири. С г. СФТИ включен в систему Томского государственного университета, является вузовским НИИ.
В – гг. основные направления научных исследований СФТИ были связаны с физикой твердого тела, физикой электромагнитных колебаний и спектроскопией, проблемами теоретической физики. Уже в конце 1930-х гг. в СФТИ велись фундаментальные и прикладные исследования в области физики твердого тела, электромагнитных колебаний, спектроскопии, теоретической физики.
В отделе физики твердого тела, возглавляемом В.Д. Кузнецовым, велись исследования в области твердости и поверхностной энергии, кристаллизации и рекристаллизации, пластичности и прочности, диффузии в твердых телах. В г. вышла из печати первая книга многотомного туда В.Д. Кузнецова “Физика твердого тела”, получившая высокую оценку. Второй том, посвященный прочности моно- и поликристаллов, написанный совместно с М.А. Большаниной, был опубликован в г., а уже в следующем году их авторы были удостоены Сталинской премии.
Под руководством В.Н. Кессениха были выполнены фундаментальные исследования по электродинамике излучающих систем. В.Н. Кессених впервые получил формулу входного сопротивления тонкой антенны, которая вошла в учебники и справочники под названием “формула Кессениха”. Под его руководством была сконструирована и в г. построена первая в стране регулярно действующая ионосферная станция, специалисты которой принимали участие изучение ионосферы во время солнечного затмения 19 июня 1936 г. По инициативе и под руководством В.Н. Кессениха в СФТИ были развернуты исследования по электромагнитным методам контроля металлических изделий.
С г. возглавляемая А.Б. Сапожниковым лаборатория дефектоскопии СФТИ начала работу по выявлению дефектов в рельсах. Сотрудниками лаборатории было разработано 13 моделей дефектоскопов. Венцом работ лаборатории дефектоскопии стал совершенный в г. поход Томск – Москва, поддержанный наркомом Народного комиссариата путей сообщения Л.М. Кагановичем.
А.А. Соколовым и Д.Д. Иваненко изучались принципиальные вопросы теории элементарных частиц и теории атомного ядра, результаты исследований явились существенным звеном в развитии представлений современной квантовой теории поля и частиц.

Источники

2. Гагарин А.В. «Профессора Томского политехнического университета». Биографический справочник. Т. 1. Томск: Изд-во научно-технической литературы, 2000-300стр.

8. Журнал ТПУ «Томский политехник»/Изд. Ассоциации выпускников ТПУ; № 10, 2004г.-199с.

9. Гагарин А.В. «Профессора Томского политехнического университета». Биографический справочник. Т. 2. Томск: Изд-во научно-технической литературы, 2001-216стр.

10. Гагарин А.В. Биографический справочник «Профессора Томского политехнического университета»: Том 3, часть 1- Томск: Изд-во ТПУ, 2005-326 стр.

11. Гагарин А.В. Биографический справочник «Профессора Томского политехнического университета»: Том 3, часть 2 — Томск: Изд-во ТПУ, 2006-265стр.

12. Гагарин А.В., Ушаков В.Я.Профессора Томского политехнического университета 1991-1997гг.: Биографический сборник – Томск: Изд-во НТЛ, 1998 – 292 стр.

СФТИ в 1945-1991 гг.

В послевоенный период в институте начинают складываться условия, благоприятные для начала перестройки и развертывания работ в новых направлениях: физики полупроводников, электроники, физики ферритов, оптики атмосферы, кибернетики. Многие научные исследования в области физики сложных полупроводников и ионосферы, кибернетики, электроники были пионерными и положили начало формированию научных школ и направлений, научные разработки СФТИ уже в то время были широко известны как в СССР, так и за рубежом.
В 1960-е гг. в СФТИ формируются научные школы и направления, возглавляемые М.С. Бобровниковым, В.Н. Детинко, А.Д. Закревским, В.Е. Зуевым, Г.А. Медведевым, В.А. Пресновым, В.П. Тарасенко, Ф.П. Тарасенко, В.А. Филоненко, Э.С. Воробейчиковым и др.
Многие научные исследования в области физики, кибернетики и радиоэлектроники, разрабатываемые в институте, были новаторскими. Так, в СФТИ была создана система представления алгоритмов синтеза дискретных автоматов (ЛЯПАС), на основе которого впоследствии была создана программирующая система для ЭВМ 2-го поколения, предвосхитившая в себе многие идеи, реализованные за рубежом лишь в машинах третьего поколения; была разработана технология сложных полупроводников на основе арсенида галлия, являющегося ценным материалом современной микро- и оптоэлектроники; лазеры, конструируемые в институте, способствовали бурному развитию нелинейной оптики, второму рождению голографии и оптической спектроскопии, возникновению оптоэлектроники, когерентной спектроскопии, квантовой оптики и др. Исследования, проводимые в СФТИ по закрытой тематике, способствовали укреплению обороноспособности страны.
СФТИ стал “альма-матер” не только научных школ и направлений, но и целых научных учреждений – отраслевого НИИ полупроводниковых приборов, НИИ оптики атмосферы, положившего начало академической науке в г. Томске, вузовскому НИИ прикладной математики и механики при Томском университете. С другой стороны, организация на базе СФТИ новых институтов и переход туда ведущих сотрудников негативно отразилось на развитии ряда научных направлений в ТГУ, а в случае с исследованиями в области математики и механики они прекратились.
Наряду со значительными успехами в деятельности института, в его работе существовал ряд трудностей. СФТИ испытывал острую нужду в производственных площадях. Лаборатории института были расположены в тесных помещениях, площадей которых было недостаточно для размещения имеющихся сотрудников и оборудования.
СФТИ тесного и плодотворно сотрудничал с физическими факультетами ТГУ и других вузов Томска. Наличие крупного квалифицированного научного коллектива и научных школ в области физических наук способствовали тому, что СФТИ стал крупным центром подготовки научных кадров высшей квалификации для вузов и НИИ Сибири, Дальнего Востока и центральной части страны, отраслевых НИИ Министерств, АН СССР и т.д.
За заслуги в развитии физики, подготовке высококвалифицированных специалистов указом Президиума Верховного Совета СССР от 28 сентября за № 8176-IX институт был награжден орденом Трудового Красного Знамени.